Onderzoekers vinden nieuwe geheugentechniek uit

News.com bericht dat onderzoekers van het Franse STMicroelectronics een geheugentechniek hebben ontwikkeld die minder gevoelig is voor 'soft errors' door achtergrondstraling. Bepaalde ioniserende straling in de omgeving, zoals kosmische straling en natuurlijk voorkomende radioactieve elementen, kunnen het geheugen van computers zodanig beïnvloeden dat bits van een '0' naar een '1' veranderen of andersom. Vermoed wordt dat kleinere chips gevoeliger zijn voor dergelijke invloeden, waardoor al langere tijd gevreesd werd dat het kleiner worden van geheugen hierdoor op den duur zou worden bemoeilijkt. Door een condensator bovenop een geheugenelement te plaatsen, slaagden de onderzoekers er uiteindelijk in om het geheugen minder kwetsbaar te maken voor achtergrondstraling, zonder toevoeging van dure en complexe foutcorrectie-circuits. Vanaf volgend jaar zal STM de techniek dan ook gaan toepassen in SRAMs, later volgen mogelijk ook processors